1、海波是晶体。海波熔点48摄氏度.融化时温度保持不变。完全融化后温度继续升高。完全符合晶体的条件。所以是晶体。
2、五水合硫代硫酸钠为无色单斜晶体。在48.2℃溶解在自身结晶水中，在33℃以上的干燥空气中易风化，溶于水吸热。海波被人熟知的用途是作为照相中的定影剂。
3、晶体在熔化时，温度不变。晶体有一定的熔点，即熔化时的温度，不同晶体的熔点不同，同一种晶体的凝固点跟它的熔点相同。非晶体没有熔点。
4、分子杂乱无章排列的固体叫做非晶体。非晶体在熔化吸热时，温度不断地升高。
分类
晶体缺陷各种偏离晶体结构中质点周期重复排列的因素，严格说，造成晶体点阵结构周期势场畸变的一切因素。
如晶体中进入了一些杂质。这些杂质也会占据一定的位置，这样破坏了原质点排列的周期性，在二十世纪中期，发现晶体中缺陷的存在，它严重影响晶体性质，有些是决定性的，如半导体导电性质，几乎完全是由外来杂质原子和缺陷存在决定的，许多离子晶体的颜色、发光等。另外，固体的强度，陶瓷、耐火材料的烧结和固相反应等等均与缺陷有关，晶体缺陷是近三、四年国内外科学研究十分注意的一个内容。
根据缺陷的作用范围把真实晶体缺陷分四类:
点缺陷:在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。
线缺陷:在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜观察到。
面缺陷:在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜观察到。
体缺陷:在三维尺寸较大，如镶嵌块，沉淀相，空洞，气泡等。
按形成的原因不同分三类:
1热缺陷(晶格位置缺陷)
在晶体点阵的正常格点位出现空位，不该有质点的位置出现了质点(间隙质点)。
2 组成缺陷
外来质点(杂质)取代正常质点位置或进入正常结点的间隙位置。
3 电荷缺陷
晶体中某些质点个别电子处于激发状态，有的离开原来质点，形成自由电子，在原来电子轨道上留下了电子空穴。
符号及反应方程式
1. 缺陷符号及缺陷反应方程式
缺陷符号 以二元化合物MX为例
(1)晶格空位:正常结点位没有质点，VM，VX
(2)间隙离子:除正常结点位置外的位置出现了质点，Mi ，Xx
(3)错位离子:M排列在X位置，或X排列在M位置上，若处在正常结点位置上，则MM，XX
(4)取代离子:外来杂质L进入晶体中，若取代M，则LM，若取代X，则LX，若占据间隙位，则Li。
(5)电子空穴 h·(代表存在一个正电荷)，·表示有效正电荷
如:从NaCl晶体中取走一个Na+，留下一个空位造成电价不平衡，多出负一价 。相当于取走Na原子加一个负有效负电荷，e失去→自由电子，剩下位置为电子空穴h·
(7)复合缺陷
同时出现正负离子空位时，形成复合缺陷，双空位。
VM+VX→(VM- VX)
缺陷反应方程式
必须遵守三个原则
(1)位置平衡--反应前后位置数不变(相对物质位置而言)
(2)质点平衡--反应前后质量不变(相对加入物质而言)
(3)电价平衡--反应前后呈电中性
例:将CaCl2引入KCl中:
将CaO引入ZrO2中
注意:只从缺陷反应方程看，只要符合三个平衡就是对的，但实际上往往只有一种是对的，这要知道其它条件才能确定哪个缺陷反应是正确的。
确定(1)式密度增加，要根据具体实验和计算。
